Пластины арсенид-галлиевые полупроводниковые (в т.ч. разделенные на кристаллы без потери ориентации) с изделиями, спроектированными из стандартных элементов («пластины с кристаллами заказанных элементов») библиотеки GA05-D-L-01, на основе нормально открытых (D-mode) полевых транзисторов с затвором Шоттки с Lg=0,5 мкм.
Верифицированные классы изделий:
–переключатели SPDT – до 20 ГГц,
–аттенюаторы управляемые (одно и многобитные) – в диапазоне частот до 20 ГГц,
–аттенюаторы с фиксированным затуханием в диапазоне частот до 20 ГГц,
–фазовращатели (одно и многобитные) в диапазоне частот до 20 ГГц,
–преобразователь уровня управляющих сигналов,–малошумящие усилители до 8 ГГц,
–широкополосные усилители с распределенным усилением (УРУ) – до 22 ГГц,
–буферные усилители тракта ПЧ и до Х-диапазона включительно,
–перемножители на основе ячейки Гилберта ‒ для тракта ПЧ,
–линейные усилители в диапазоне частот до 8 ГГц,
–смесители частоты, в т.ч. квадратурные активные модуляторы в диапазоне частот до 15 ГГц,
–ограничители мощности до 2 Вт,
–умножители частоты на 2 и 3 ‒ в диапазоне частот до 18 ГГц,
–полосовые фильтры, фильтры нижних частот, фильтры верхних частот,
–делители мощности, направленные ответвители, в т.ч. мост Ланге,
а также любые их комбинации в составе сложнофункциональных устройств.